Category: Đào tạo

Mạch khuếch đại

1 – Mạch khuếch đại

    1.1 – Khái niệm về mạch khuếch đại .

    Mạch khuếch đại được sử dụng trong hầu hết các thiết bị điện tử, như mạch khuếch đại âm tần trong Cassete, Âmply, Khuếch đại tín hiệu video trong Ti vi mầu  v.v …

    Có ba loại mạch khuếch đại chính là :

  • Khuếch đại về điện áp : Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có biên độ nhỏ vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu có biên độ lớn hơn nhiều lần.
  • Mạch khuếch đại về dòng điện : Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có cường độ yếu vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần.
  • Mạch khuếch đại công xuất : Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có công xuất yếu vào , đầu ra ta thu được tín hiệu có công xuất mạnh hơn nhiều lần, thực ra mạch khuếch đại công xuất là kết hợp cả hai mạch khuếch đại điện áp và khuếch đại dòng điện làm một.

    1.2 –  Các chế độ hoạt động của mạch khuếch đại.

     Các chế độ hoạt động của mạch khuếch đại  là phụ thuộc vào chế độ phân cực cho Transistor, tuỳ theo mục đích sử dụng mà mạch khuếch đại được phân cực để KĐ ở chế độ A,  chế độ B , chế độ AB hoặc chế độ C

         a) Mạch khuếch đại ở chế độ A.
    Là các mạch khuếch đại cần lấy ra tín hiệu hoàn toàn giốn với tín hiệu ngõ vào.

Mạch khuếch đại chế độ A  khuếch đại
cả hai bán chu kỳ tín hiệu ngõ vào

     *  Để Transistor hoạt động ở chế độ A, ta phải định thiên sao cho  điện áp    UCE  ~  60% ÷ 70% Vcc.
    * Mạch khuếch đại ở chế độ A  được sử dụng trong các mạch trung gian như khuếch đại cao tần, khuếch đại trung tần, tiền khuếch đại v v..

      b) Mach khuếch đại ở chế độ B.
   Mạch khuếch đại chế độ B là mạch chỉ khuếch đại một nửa chu kỳ của tín hiệu, nếu khuếch đại bán kỳ dương ta dùng transistor NPN, nếu khuếch đại bán kỳ âm ta dùng transistor PNP, mạch khuếch đại ở chế độ B không có định thiên.

Mạch khuếch đại ở chế độ B chỉ khuếch
đại một bán chu kỳ của tín hiệu ngõ vào.

     * Mạch khuếch đại chế độ B thường được sử dụng trong các mạch khuếch đại công xuất đẩy kéo như công xuất âm tần, công xuất mành của Ti vi, trong các mạch công xuất đẩy kéo , người ta dùng hai đèn NPN và PNP mắc nối tiếp , mỗi đèn sẽ khuếch đại một bán chu kỳ của tín hiệu, hai đèn trong mạch khuếch đại đẩy kéo phải có các thông số kỹ thuật như nhau :

   * Mạch khuếch đại công xuất kết hợp cả hai chế độ A và B .

Mạch khuếch đại công xuất Âmply có : Q1 khuếch đại ở
chế độ A, Q2 và Q3 khuếch đại ở chế độ B, Q2 khuếch đại
cho bán chu kỳ dương, Q3 khuếch đại cho bán chu kỳ âm.

   c) Mạch khuếch đại ở chế độ AB.
    Mạch khuếch đại ở chế độ AB là mạch tương tự khuếch đại ở chế độ B , nhưng có định thiện sao cho điện áp UBE sấp sỉ 0,6 V, mạch cũng chỉ khuếch đại một nửa chu kỳ tín hiệu và khắc phục hiện tượng méo giao điểm của mạch khuếch đại chế độ B, mạch này cũng được sử dụng trong các mạch công xuất đẩy kéo .

   d) Mạch khuếch đại ở chế độ C
   Là mạch khuếch đại  có điện áp UBE được phân cự ngược với mục đích chỉ lấy tín hiệu đầu ra là một phần đỉnh của tín hiệu đầu vào,  mạch này thường sử dụng trong các mạch tách tín hiệu : Thí dụ mạch tách xung đồng bộ trong ti vi mầu.

Ứng dụng mạch khuếch đại chế độ C trong
mạch tách xung đồng bộ Ti vi mầu.

  2 – Các kiểu mắc của Transistor

      2.1 – Transistor mắc theo kiểu E chung.

     Mạch mắc theo kiểu E chung có cực E đấu trực tiếp xuống mass hoặc đấu qua tụ xuống mass để thoát thành phần xoay chiều, tín hiệu đưa vào cực B và lấy ra trên cực C,  mạch có sơ đồ như sau :

Mạch khuếch đại điện áp mắc kiểu E chung ,
Tín hiệu đưa vào cực B và lấy ra trên cực C

Rg : là điện trở ghánh , Rđt : Là điện trở
định thiên, Rpa : Là điện trở phân áp .

      Đặc điểm của mạch khuếch đại E chung.

  •  Mạch khuếch đại E chung thường được định thiên sao cho điện áp UCE khoảng 60% ÷ 70 %  Vcc.
  • Biên độ tín hiệu ra thu được lớn hơn biên độ tín hiệu vào nhiều lần, như vậy mạch khuếch đại về điện áp.
  • Dòng điện tín hiệu ra lớn hơn dòng tín hiệu vào nhưng không đáng kể.
  • Tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào : vì khi điện áp tín hiệu vào tăng => dòng IBE tăng => dòng ICE tăng => sụt áp trên Rg tăng => kết quả là điện áp chân C giảm , và ngược lại khi điện áp đầu vào giảm thì điện áp chân C lại tăng  => vì vậy điện áp đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào.
  • Mạch mắc theo kiểu E chung như trên được ứng dụng nhiều nhất trong thiết bị điện tử.

    2.2 – Transistor mắc theo kiểu C chung.

   Mạch mắc theo kiểu C chung có chân C đấu vào mass hoặc dương nguồn ( Lưu ý : về phương diện xoay chiều thì dương nguồn tương đương với mass ) , Tín hiệu được đưa vào cực B và lấy ra trên cực E , mạch có sơ đồ như sau :

Mạch mắc kiểu C chung , tín hiệu đưa
vào cực B và lấy ra trên cực E

       Đặc điểm của mạch khuếch đại C chung .

  • Tín hiệu đưa vào cực B và lấy ra trên cực E
  • Biên độ tín hiệu ra bằng biên độ tín hiệu vào : Vì mối BE luôn luôn có giá trị khoảng 0,6V do đó khi điện áp chân B tăng bao nhiêu thì áp chân C cũng tăng bấy nhiêu => vì vậy biên độ tín hiệu ra bằng biên độ tín hiệu vào .
  • Tín hiệu ra cùng pha với tín hiệu vào : Vì khi điện áp vào tăng => thì điện áp ra cũng tăng, điện áp vào giảm thì điện áp ra cũng giảm.
  • Cường độ của tín hiệu ra mạnh hơn cường độ của tín hiệu vào nhiều lần :  Vì khi tín hiệu vào có biên độ tăng => dòng IBE sẽ tăng  => dòng ICE cũng tăng gấp β lần dòng IBE vì
          ICE =  β.IBE   giả sử Transistor có hệ số khuếch đại β = 50 lần thì khi dòng IBE tăng 1mA => dòng ICE sẽ tăng 50mA, dòng ICE chính là dòng của tín hiệu đầu ra, như vậy tín hiệu đầu ra có cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần so với tín hiệu vào.
  • Mạch trên  được ứng dụng nhiều trong các mạch khuếch đại đêm (Damper), trước khi chia tín hiệu làm nhiều nhánh , người ta thường dùng mạch Damper để khuếch đại cho tín hiệu khoẻ hơn . Ngoài ra mạch còn được ứng dụng rất nhiều trong các mạch ổn áp nguồn ( ta sẽ tìm hiểu trong phần sau )

      2.3 – Transistor mắc theo kiểu B chung.

  • Mạch mắc theo kiểu B chung có tín hiệu đưa vào chân E và lấy ra trên chân C , chân B được thoát mass thông qua tụ.
  • Mach mắc kiểu B chung rất ít khi được sử dụng trong thực tế.

Mạch khuếch đại kiểu B chung , khuếch
đại về điện áp và không khuếch đại về dòng điện.


 3 – Các kiểu ghép tầng

    3.1 – Ghép tầng qua tụ điện.
        
* Sơ đồ mạch ghép tầng qua tụ điện

Mạch khuếch đại đầu từ – có hai tầng khuếch
đại được ghép với nhau qua tụ điện.

  • Ở trên là sơ đồ mạch khuếch đại đầu từ trong đài Cassette, mạch gồm hai tầng khuếch đại mắc theo kiểu E chung, các tầng được ghép tín hiệu thông qua tụ điện, người ta sử dụng các tụ  C1 , C3 , C5  làm tụ nối tầng cho tín hiệu xoay chiều đi qua và ngăn áp một chiều lại, các tụ C2 và C4 có tác dụng thoát thành phần xoay chiều từ chân E xuống mass, C6 là tụ lọc nguồn.
  • Ưu điểm của mạch là đơn giản, dễ lắp do đó mạch được sử dụng rất nhiều trong thiết bị điện tử, nhược điểm là không khai thác được hết khả năng khuếch đại của Transistor do đó hệ số khuếch đại không lớn.
  • Ở trên là mạch khuếch đại âm tần, do đó các tụ nối tầng thường dùng tụ hoá có trị số từ 1µF ÷ 10µF.
  • Trong các mạch khuếch đại cao tần thì tụ nối tầng có trị số nhỏ khoảng vài nanô Fara.

    3.2 – Ghép tầng qua biến áp .
  
 * Sơ đồ mạch trung tần tiếng trong Radio sử dụng biến áp ghép tầng

Tầng Trung tần tiếng của Radio sử dụng biến áp ghép tầng.

  • Ở trên là sơ đồ mạch trung tần Radio sử dụng các biến áp ghép tầng, tín hiệu đầu ra của tầng này được ghép qua biến áp để đi vào tầng phía sau.
  • Ưu điểm của mạch là phối hợp được trở kháng giữa các tầng do đó khai thác được tối ưu hệ số khuếch đại , hơn nữa cuộn sơ cấp biến áp có thể đấu song song với tụ để cộng hưởng khi mạch khuếch đại ở một tần số cố định.
  • Nhược điểm : nếu mạch hoạt động ở dải tần số rộng thì gây méo tần số, mạch chế tạo phức tạp và chiếm nhiều diện tích.

      3.3 – Ghép tầng trực tiếp .

   * Kiểu ghép tầng trực tiếp thường được dùng trong các mạch khuếch đại công xuất âm tần.

Mạch khuếch đại công xuất âm tần có đèn đảo pha Q1
được ghép trực tiếp với hai đèn công xuất Q2 và Q3.


 4 – Phương pháp kiểm tra một tầng khuếch đại

     4.1 – Trong các mạch khuếch đại ( chế độ A )  thì phân cực như thế nào là đúng.

Mạch khuếch đại được phân cực đúng.

  • Mạch khuếch đại ( chế độ A) được phân cực đúng là mạch có
     UBE ~ 0,6V  ;   UCE ~ 60%  ÷ 70% Vcc
  • Khi mạch được phân cực đúng ta thấy , tín hiệu ra có biên độ lớn nhất và không bị méo tín hiệu .

      4.2 –  Mạch khuếch đại ( chế độ A ) bị phân cực sai.

Mạch khuếch đại bị phân cực sai, điện áp UCE quá thấp .

Mạch khuếch đại bị phân cực sai, điện áp UCE quá cao .

  • Khi mạch bị phân cực sai ( tức là UCE quá thấp hoặc quá cao ) ta thấy rằng tín hiệu ra bị méo dạng, hệ số khuếch đại của mạch bị giảm mạnh.
  • Hiện tượng méo dạng trên sẽ gây hiện tượng âm thanh bị rè hay bị nghẹt ở các mạch khuếch đại âm tần.

     Phương pháp kiểm tra một tầng khuếch đại.

  • Một tầng khuếch đại nếu ta kiểm tra thấy UCE quá thấp so với nguồn  hoặc quá cao sấp sỉ bằng nguồn => thì tầng khuếch đại đó có vấn đề.
  • Nếu UCE quá thấp thì có thể do chập CE( hỏng Transistor) , hoặc đứt Rg.
  • Nếu UCE quá cao ~ Vcc thì có thể đứt Rđt hoặc hỏng Transistor.
  • Một tầng khuếch đại còn tốt thông thường có  :
                     UBE ~ 0,6V  ;   UCE ~ 60%  ÷ 70% Vcc

Transistor trường – Mosfet

1. Giới thiệu về Mosfet

     Mosfet là Transistor hiệu ứng trường  ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor  thông thường mà ta đã biết, Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính .

Transistor hiệu ứng trường Mosfet

   2. Cấu tạo và ký hiệu của Mosfet.

 Ký hiệu và sơ đồ chân tương đương
giữa Mosfet và Transistor

   * Cấu tạo của Mosfet.

Cấu tạo của Mosfet ngược Kênh N

  • G : Gate gọi là cực cổng
  • S : Source  gọi là cực nguồn
  • D : Drain gọi  là cực máng
  • Mosfet kện N có hai miếng bán dẫn loại P đặt trên nền bán dẫn N, giữa hai lớp P-N được cách điện bởi lớp SiO2  hai miếng bán dẫn P được nối ra thành cực D và cực S, nền bán dẫn N được nối với lớp màng mỏng ở trên sau đó được dấu ra thành cực G.
  • Mosfet có điện trở  giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D  là vô cùng lớn , còn điện trở giữa cực D và cực S phụ thuộc vào  điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S ( UGS )
  • Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi điện áp UGS > 0  => do hiệu ứng từ trường làm cho điện trở RDS giảm, điện áp UGS càng lớn thì điện trở RDS càng nhỏ.

   3. Nguyên tắc hoạt động của Mosfet

    Mạch điện thí nghiệm.

Mạch thí nghiệm sự hoạt động của Mosfet

  • Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UD qua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q (Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điện đi qua cực DS khi chân G không được cấp điện.
  • Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp vào hai cực GS làm điện áp UGS> 0V => đèn Q1 dẫn => bóng đèn D sáng.
  • Khi công tắc K1 ngắt, điện áp tích trên tụ C1 (tụ gốm) vẫn duy trì cho đèn Q dẫn => chứng tỏ không có dòng điện đi qua cực GS.
  • Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích trên tụ C1 giảm bằng 0 =>  UGS= 0V  => đèn tắt
  • => Từ thực nghiệm trên ta thấy rằng : điện áp đặt vào chân G không tạo ra dòng GS như trong Transistor thông thường mà điện áp này chỉ tạo ra từ trường => làm cho điện trở RDS giảm xuống .
     

    4. Đo kiểm tra Mosfet

  • Một Mosfet còn tốt  : Là khi đo trở kháng giữa G với S và giữa G với D có điện trở bằng vô cùng ( kim không lên cả hai chiều đo)  và khi G đã được thoát điện thì trở kháng giữa D và S phải là vô cùng.

    Các bước kiểm tra như sau :

Đo kiểm tra Mosfet ngược thấy còn tốt.

  • Bước 1 : Chuẩn bị để thang x1KW 
  • Bước 2 : Nạp cho G một điện tích ( để que đen vào G que đỏ vào S hoặc D )
  • Bước 3 :  Sau khi nạp cho G một điện tích  ta đo giữa D và S ( que đen vào D que đỏ vào S  ) => kim sẽ lên.
  • Bước 4 : Chập G vào D hoặc G vào S để thoát điện chân G.
  • Bước 5 : Sau khi đã thoát điện chân G đo lại DS như bước 3 kim không lên.
  • => Kết quả như vậy là Mosfet tốt.

Đo kiểm tra Mosfet ngược thấy bị chập

  • Bước 1 : Để đồng hồ thang x 1KW 
  • Đo giữa G và S hoặc giữa G và D nếu kim lên = 0 W    là chập
  • Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên = 0 W  là chập  D S    

   5. Ứng dung của Mosfet trong thực tế

      Mosfet trong nguồn xung của Monitor

Mosfet được sử dụng làm đèn công xuất nguồn Monitor

     Trong bộ nguồn xung của Monitor hoặc máy vi tính, người ta thường dùng cặp linh kiện là IC tạo dao động và đèn Mosfet, dao động tạo ra từ IC có dạng xung vuông được đưa đến chân G của Mosfet, tại thời điểm xung có điện áp > 0V => đèn Mosfet dẫn, khi xung dao động = 0V Mosfet ngắt => như vậy dao động tạo ra sẽ điều khiển cho Mosfet liên tục đóng ngắt tạo thành dòng điện biến thiên liên tục chạy qua cuộn sơ cấp => sinh ra từ trường biến thiên cảm ứng lên các cuộn thứ cấp => cho ta điện áp ra.

   * Đo kiểm tra Mosfet trong mạch .
     
 Khi kiểm tra Mosfet trong mạch , ta chỉ cần để thang x1W   và đo giữa D và S => Nếu 1 chiều kim lên đảo chiều đo kim không lên => là Mosfet bình thường, Nếu cả hai chiều kim lên = 0 W  là Mosfet bị chập DS.
 

   6. Bảng tra cứu Mosfet thông dụng

 Hướng dẫn :

  •  Loại kênh dẫn :  P-Channel : là Mosfet thuận ,   N-Channel là Mosfet ngược.
  • Đặc điểm ký thuật :  Thí dụ:   3A, 25W : là dòng D-S cực đại và công xuất cực đại.
STTKý hiệuLoại kênh dẫnĐặc điểm kỹ thuật
12SJ306P-Channel3A , 25W
22SJ307P-Channel6A, 30W
32SJ308P-Channel9A, 40W
42SK1038N-Channel5A, 50W
52SK1117N-Channel6A, 100W
62SK1118N-Channel6A, 45W
72SK1507N-Channel9A, 50W
82SK1531N-Channel15A, 150W
92SK1794N-Channel6A,100W
102SK2038N-Channel5A,125W
112SK2039N-Channel5A,150W
122SK2134N-Channel13A,70W
132SK2136N-Channel20A,75W
142SK2141N-Channel6A,35W
152SK2161N-Channel9A,25W
162SK2333N-FET6A,50W
172SK400N-Channel8A,100W
182SK525N-Channel10A,40W
192SK526N-Channel10A,40W
202SK527N-Channel10A,40W
212SK555N-Channel7A,60W
222SK556N-Channel12A,100W
232SK557N-Channel12A,100W
242SK727N-Channel5A,125W
252SK791N-Channel3A,100W
262SK792N-Channel3A,100W
272SK793N-Channel5A,150W
282SK794N-Channel5A,150W
29BUZ90N-Channel5A,70W
30BUZ90AN-Channel4A,70W
31BUZ91N-Channel8A,150W
32BUZ 91AN-Channel8A,150W
33BUZ 92N-Channel3A,80W
34BUZ 93N-Channel3A,80W
35BUZ 94N-Channel8A,125W
36IRF 510N-Channel5A,43W
37IRF 520N-Channel9A,60W
38IRF 530N-Channel14A,88W
39IRF 540N-Channel28A,150W
40IRF 610N-Channel3A,26W
41IRF 620N-Channel5A,50W
42IRF 630N-Channel9A,74W
43IRF 634N-Channel8A,74W
44IRF 640N-Channel18A,125W
45IRF 710N-Channel2A,36W
46IRF 720N-Channel3A,50W
47IRF 730N-Channel5A,74W
48IRF 740N-Channel10A,125W
49IRF 820N-Channel2A,50W
50IRF 830N-Channel4A,74W
51IRF 840N-Channel8A,125W
52IRF 841N-Channel8A,125W
53IRF 842N-Channel7A,125W
54IRF 843N-Channel7A,125W
55IRF 9610P-Channel2A,20W
56IRF 9620P-Channel3A,40W
57IRF 9630P-Channel6A,74W
58IRF 9640P-Channel11A,125W
59IRFI 510GN-Channel4A,27W
60IRFI 520GN-Channel7A,37W
61IRFI 530GN-Channel10A,42W
62IRFI 540GN-Channel17A,48W
63IRFI 620GN-Channel4A,30W
64IRFI 630GN-Channel6A,35W
65IRFI 634GN-Channel6A,35W
66IRFI 640GN-Channel10A,40W
67IRFI 720GN-Channel3A,30W
68IRFI 730GN-Channel4A,35W
69IRFI 740GN-Channel5A,40W
70IRFI 820GN-Channel2A,30W
71IRFI 830GN-Channel3A,35W
72IRFI 840GN-Channel4A,40W
73IRFI 9620GP-Channel2A,30W
74IRFI 9630GP-Channel4A,30W
75IRFI 9640GP-Channel6A,40W
76IRFS 520N-Channel7A,30W
77IRFS 530N-Channel9A,35W
78IRFS 540N-Channel15A,40W
79IRFS 620N-Channel4A,30W
80IRFS 630N-Channel6A,35W
81IRFS 634N-Channel5A,35W
82IRFS 640N-Channel10A,40W
83IRFS 720N-Channel2A,30W
84IRFS 730N-Channel3A,35W
85IRFS 740N-Channel3A,40W
86IRFS 820N-Channel2A-30W
87IRFS 830N-Channel3A-35W
88IRFS 840N-Channel4A-40W
89IRFS 9620P-Channel3A-30W
90IRFS 9630P-Channel4A-35W
91IRFS 9640P-Channel6A-40W
92J177(2SJ177)P-Channel0.5A-30W
93J109(2SJ109)P-Channel20mA,0.2W
94J113(2SK113)P-Channel10A-100W
95J114(2SJ114)P-Channel8A-100W
96J118(2SJ118)P-Channel8A
97J162(2SJ162)P-Channel7A-100W
98J339(2SJ339)P-Channel25A-40W
99K30A/2SK304/ 2SK30RN-Channel10mA,1W
100K214/2SK214N-Channel0.5A,1W
101K389/2SK389N-Channel20mA,1W
102K399/2SK399N-Channel10-100
103K413/2SK413N-Channel8A
104K1058/2SK1058N-Channel 
105K2221/2SK2221N-Channel8A-100W
106MTP6N10N-Channel6A-50W
107MTP6N55N-Channel6A-125W
108MTP6N60N-Channel6A-125W
109MTP7N20N-Channel7A-75W
110MTP8N10N-Channel8A-75W
111MTP8N12N-Channel8A-75W
112MTP8N13N-Channel8A-75W
113MTP8N14N-Channel8A-75W
114MTP8N15N-Channel8A-75W
115MTP8N18N-Channel8A-75W
116MTP8N19N-Channel8A-75W
117MTP8N20N-Channel8A-75W
118MTP8N45N-Channel8A-125W
119MTP8N46N-Channel8A-125W
120MTP8N47N-Channel8A-125W
121MTP8N48N-Channel8A-125W
122MTP8N49N-Channel8A-125W
123MTP8N50N-Channel8A-125W
124MTP8N80N-Channel8A-75W

Transistor – Bóng bán dẫn

1 – Giới thiệu về Transistor

     1.1 – Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn )
    Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối  tiếp giáp P-N , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau .

Cấu tạo Transistor

  • Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực , lớp giữa gọi là cực gốc ký hiệu là B ( Base ), lớp bán dẫn B rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp.
  • Hai lớp bán dẫn bên ngoài được nối ra thành cực phát ( Emitter ) viết tắt là E,  và cực thu hay cực góp ( Collector ) viết tắt là C, vùng bán dẫn E và C có cùng loại bán dẫn (loại N hay P ) nhưng có kích thước và nồng độ tạp chất khác nhau nên không hoán vị cho nhau được.

    1.2 –  Nguyên tắc hoạt động của Transistor.

    * Xét hoạt động của Transistor NPN .

Mạch khảo sát về nguyên tắc hoạt
động của transistor NPN

  • Ta cấp một nguồn một chiều UCE vào hai cực C và E trong đó (+) nguồn vào cực C và (-) nguồn vào cực E.
  • Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E , trong đó cực (+) vào chân B, cực (-) vào chân E.
  • Khi công tắc mở , ta thấy rằng, mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn không có dòng điện chạy qua mối C E ( lúc này dòng  IC = 0 )
  • Khi công tắc đóng, mối P-N được phân cực thuận do đó có một dòng điện chạy từ (+) nguồn UBE qua công tắc => qua R hạn dòng => qua mối BE về cực (-) tạo thành dòng IB
  • Ngay khi dòng IB xuất hiện => lập tức cũng có dòng IC chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng, và dòng IC mạnh gấp nhiều lần dòng IB
  • Như vậy rõ ràng dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB và phụ thuộc theo một công thức .

IC = β.IB 

  • Trong đó IC là dòng chạy qua mối CE
  • IB là dòng chạy qua mối BE                
  • β là hệ số khuyếch đại của Transistor  

   Giải thích : Khi có điện áp UCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện, khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn P tại cực B rất mỏng và nồng độ pha tạp thấp, vì vậy số điện tử tự do từ lớp bán dẫn N ( cực E ) vượt qua tiếp giáp sang lớp bán dẫn P( cực B ) lớn hơn số lượng lỗ trống rất nhiều, một phần nhỏ trong số các điện tử đó thế vào lỗ trống tạo thành dòng IB còn phần lớn số điện tử bị hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp UCE => tạo thành dòng ICE chạy qua Transistor.

    * Xét hoạt động của Transistor PNP .

    Sự hoạt động của Transistor PNP hoàn toàn tương tự Transistor NPN nhưng cực tính của các nguồn điện UCE và UBE ngược lại . Dòng IC đi từ E sang C còn dòng IB đi từ E sang B.

2 – Ký hiệu và hình dạng của Transistor

    2.1 –  Ký hiệu & hình dáng Transistor .

Ký hiệu của Transistor

Transistor công xuất nhỏ           Transistor công xuất lớn

      2.2 –  Ký  hiệu ( trên thân Transistor )
   
*   Hiện nay trên thị trường có nhiều loại Transistor của nhiều nước sản xuất nhưng thông dụng nhất là các transistor của Nhật bản, Mỹ và Trung quốc.

  • Transistor Nhật bản : thường ký hiệu là A…, B…, C…, D…   Ví dụ A564, B733, C828, D1555 trong đó các Transistor ký hiệu là A và B là Transistor thuận PNP còn ký hiệu là C và D là Transistor ngược NPN.   các Transistor  A và C thường có công xuất nhỏ và tần số làm việc cao còn các Transistor B và D thường có công xuất lớn và tần số làm việc thấp hơn.
  • Transistor do Mỹ sản xuất. thường ký hiệu là 2N…   ví dụ 2N3055, 2N4073  vv…
  • Transistor do Trung quốc sản xuất :   Bắt đầu bằng số 3, tiếp theo là hai chũ cái. Chữ cái thức nhất cho biết loại bóng : Chữ A và B là bóng thuận , chữ C và D là bòng ngược, chữ thứ hai cho biết đặc điểm : X và P là bòng âm tần, A và G là bóng cao tần. Các chữ số ở sau chỉ thứ tự sản phẩm.   Thí dụ : 3CP25 , 3AP20 vv..

      2.3 –  Cách xác định chân E, B, C của Transistor.

  • Với các loại Transistor công xuất nhỏ thì thứ tự chân C và B tuỳ theo bóng của nước nào sả xuất , nhựng chân E luôn ở bên trái nếu ta để Transistor như hình dưới
  • Nếu là Transistor do Nhật sản xuất : thí dụ Transistor  C828,  A564 thì  chân C ở giữa , chân B ở bên phải.
  • Nếu là Transistor Trung quốc sản xuất thì chân B ở giữa , chân C ở bên phải.
  • Tuy nhiên một số Transistor được sản xuất nhái thì không theo thứ tự này => để biết chính xác ta dùng phương pháp đo bằng đồng hồ vạn năng.

Transistor  công xuất nhỏ.

  • Với loại Transistor công xuất lớn (như hình dưới ) thì hầu hết đều có chung thứ tự chân là : Bên trái là cực B, ở giữa là cực C và bên phải là cực E.

Transistor công xuất lớn thường
có thứ tự chân như trên.

    * Đo xác định chân B và C

  • Với Transistor công xuất nhỏ thì thông thường chân E ở bên trái như vậy ta chỉ xác định chân B và suy ra chân C là chân còn lại.
  • Để đồng hồ thang x1Ω , đặt cố định một que đo vào từng chân , que kia chuyển sang hai chân còn lại, nếu kim lên = nhau  thì chân có que đặt cố định là chân B, nếu que đồng hồ cố định là que đen thì là Transistor ngược, là que đỏ thì là Transistor thuận..

 3- Phương pháp kiểm tra Transistor

Transistor khi hoạt động có thể hư hỏng do nhiều nguyên nhân, như hỏng do nhiệt độ, độ ẩm, do điện áp nguồn tăng cao hoặc do chất lượng của bản thân Transistor, để kiểm tra Transistor bạn hãy nhớ cấu tạo của chúng.

Cấu tạo của Transistor

  • Kiểm tra Transistor ngược NPN  tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Anôt, điểm chung là cực B, nếu đo từ B sang C và B sang E ( que đen vào B ) thì tương đương như đo hai diode thuận chiều => kim lên , tất cả các trường hợp đo khác kim không lên.
  • Kiểm tra Transistor thuận  PNP tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Katôt, điểm chung là cực B của Transistor, nếu đo từ B sang C và B sang E ( que đỏ vào B ) thì tương đương như đo hai diode thuận chiều => kim lên , tất cả các trường hợp đo khác kim không lên.
  • Trái với các điều trên là Transistor bị hỏng.
  • Transistor có thể bị hỏng ở các trường hợp .
         *   Đo thuận chiều từ B sang E hoặc từ B sang C => kim không lên là transistor đứt BE hoặc đứt BC
         *  Đo từ B sang E hoặc từ B sang C kim lên cả hai chiều là chập hay dò BE hoặc BC.
         * Đo giữa C và E kim lên là bị chập CE.

   * Các hình ảnh minh hoạ khi đo kiểm tra Transistor.

Phép đo cho biết Transistor còn tốt .

  • Minh hoạ phép  đo trên : Trước hết nhìn vào ký hiệu ta biết được  Transistor trên  là bóng ngược, và các chân của Transistor lần lượt là ECB ( dựa vào tên Transistor ). < xem lại phần xác định chân Transistor >
  • Bước 1 : Chuẩn bị đo để đồng hồ ở thang x1Ω
  • Bước 2  và bước 3 : Đo thuận chiều BE và BC => kim lên .
  • Bước 4 và bước 5 : Đo ngược chiều BE và BC => kim không lên.
  • Bước 6 : Đo giữa C và E kim không lên  
  •  => Bóng tốt.

———————————————————————-

Phép đo cho biết Transistor bị chập BE

  • Bước 1 : Chuẩn bị .
  • Bước 2 : Đo thuận giữa B và E kim lên = 0 Ω
  • Bước 3: Đo ngược giữa B và E kim lên = 0 Ω 
  • => Bóng chập BE

—————————————————————–

Phép đo cho biết bóng bị đứt BE

  • Bước 1 : Chuẩn bị .
  • Bước 2 và 3 : Đo cả hai chiều giữa B và E kim không lên.
  • => Bóng đứt BE

———————————————————

Phép đo cho thấy bóng bị chập CE

  • Bước 1 : Chuẩn bị .
  • Bước 2 và 4 : Đo cả hai chiều giữa C và E kim lên = 0 Ω 
  • => Bóng chập CE
  • Trường hợp đo giữa C và E kim lên một chút là bị dò CE.
     

 4 – Các thông số kỹ thuật của Transistor

      4.1 – Các thông số kỹ thuật của Transistor

  • Dòng điện cực đại : Là dòng điện giới hạn của transistor, vượt qua dòng giới hạn này Transistor sẽ bị hỏng.
  • Điện áp cực đại : Là điện áp  giới hạn của transistor đặt vào cực CE , vượt qua điện áp giới hạn này Transistor sẽ bị đánh thủng.
  • Tấn số cắt : Là tần số giới hạn mà Transistor làm việc bình thường, vượt quá tần số này thì độ khuyếch đại của Transistor bị giảm .
  • Hệ số khuyếch đại : Là tỷ lệ biến đổi của dòng ICE lớn gấp bao nhiêu lần dòng IBE 
  • Công xuất cực đại : Khi hoat động Transistor tiêu tán một công xuất P = UCE . ICE  nếu công xuất này vượt quá công xuất cực đại của Transistor thì Transistor sẽ bị hỏng .

     4.2 –  Một số Transistor đặc biệt .

     * Transistor số ( Digital Transistor ) : Transistor số có cấu tạo như Transistor thường nhưng chân B được đấu thêm một điện trở vài chục KΩ

     Transistor số thường được sử dụng trong các mạch công tắc , mạch logic, mạch điều khiển , khi hoạt động người ta có thể đưa trực tiếp áp lệnh 5V vào chân B để điều khiển đèn ngắt mở.

Minh hoạ ứng dụng của Transistor Digital

     * Ký hiệu :  Transistor Digital  thường có các ký hiệu là DTA…( dền thuận ),  DTC…( đèn ngược ) ,  KRC…( đèn ngược )  KRA…( đèn thuận),  RN12…( đèn ngược ), RN22…(đèn thuận ), UN…., KSR… . Thí dụ : DTA132 , DTC 124 vv…

     * Transistor công xuất dòng ( công xuất ngang )

      Transistor công xuất lớn thường được gọi là sò. Sò dòng, Sò nguồn vv..các sò này được thiết kế để điều khiển bộ cao áp hoặc biến áp nguồn xung hoạt động ,  Chúng thường  có điện áp  hoạt động cao và cho dòng chịu đựng lớn. Các sò công xuất dòng( Ti vi mầu)  thường có đấu thêm các diode đệm ở trong song song với cực CE.

Sò công xuất dòng trong Ti vi mầu

  5 – Phân cực cho Transistor

     5.1 – Cấp điện cho Transistor ( Vcc – điện áp cung cấp )

    Để sử dụng Transistor trong mạch ta cần phải cấp cho nó một nguồn điện, tuỳ theo mục đích sử dụng mà nguồn điện được cấp trực tiếp vào Transistor hay đi qua điện trở, cuộn dây v v… nguồn điện Vcc cho Transistor được quy ước là nguồn cấp cho cực CE.

Cấp nguồn Vcc cho Transistor ngược và thuận

  • Ta thấy rằng : Nếu Transistor là ngược NPN thì Vcc phải là nguồn dương (+), nếu Transistor là thuận PNP thì Vcc là nguồn âm (-)

     5.2 – Định thiên ( phân cực ) cho Transistor .

    *  Định thiên : là cấp một nguồn điện vào chân B ( qua trở định thiên) để đặt Transistor vào trạng thái sẵn sàng hoạt động,  sẵn sàng khuyếch đại các tín hiệu cho dù rất nhỏ.

    * Tại sao phải định thiên cho Transistor nó mới sẵn sàng hoạt động ? :  Để hiếu được điều này ta hãy xét  hai sơ đồ trên :

  • Ở trên là hai mạch sử dụng transistor để khuyếch đại tín hiệu, một mạch chân B không được định thiên và một mạch chân B được định thiên thông qua Rđt.
  • Các nguồn tín hiệu đưa vào khuyếch đại thường có biên độ rất  nhỏ ( từ 0,05V đến 0,5V ) khi đưa vào chân B( đèn chưa có định thiên) các tín hiệu này không đủ để tạo ra dòng IBE ( đặc điểm mối P-N phaỉ có 0,6V mới có dòng chạy qua ) => vì vậy cũng không có dòng ICE  =>  sụt áp trên Rg = 0V và điện áp ra chân C = Vcc
  • Ở sơ đồ thứ 2 , Transistor có Rđt định thiên => có dòng IBE, khi đưa tín hiệu nhỏ vào chân B => làm cho dòng IBE tăng hoặc giảm => dòng ICE  cũng tăng hoặc giảm , sụt áp trên Rg cũng thay đổi => và kết quả đầu ra ta thu được một tín hiệu tương tự đầu vào nhưng có biên độ lớn hơn.

      => Kết luận : Định thiên ( hay phân cực)  nghĩa là tạo một dòng điện IBE ban đầu, một sụt áp trên Rg ban đầu để khi có một nguồn tín hiệu yếu đi vào cực B , dòng IBE sẽ tăng hoặc giảm => dòng ICE cũng tăng hoặc giảm => dẫn đến sụt áp trên Rg cũng tăng hoặc giảm => và sụt áp này chính là tín hiệu ta cần lấy ra .

      5.3 –  Một số mach định thiên khác .

   * Mạch định thiên dùng hai nguồn điện khác nhau .

Mạch định thiên dùng hai nguồn điện khác nhau

   * Mach định thiên có điện trở phân áp
   Để có thể khuếch đại được nhiều nguồn tín hiệu mạnh yếu khác nhau, thì mạch định thiên thường sử dụng thêm điện trở phân áp Rpa đấu từ B xuống Mass.

Mạch định thiên có điện trở phân áp  Rpa

    * Mạch định thiên có hồi tiếp .
  
 Là mạch có điện trở định thiên đấu từ đầu ra (cực C ) đến đầu vào ( cực B) mạch này có tác dụng tăng độ ổn định cho mạch khuyếch đại khi hoạt động.

Chất bán dẫn và Diode

1 – Chất bán dẫn

    1.1 –  Chất bán dẫn là gì ?
   
Chất bán dẫn là nguyên liệu để sản xuất ra các loại linh kiện bán dẫn như Diode, Transistor, IC mà ta đã thấy trong các thiết bị điện tử ngày nay.

   Chất bán dẫn là những chất có đặc điểm trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện, về phương diện hoá học thì bán dẫn là những chất có 4 điện tử ở lớp ngoài cùng của nguyên tử. đó là các chất Germanium ( Ge) và Silicium (Si)

   Từ các chất bán dẫn ban đầu ( tinh khiết) người ta phải tạo ra hai loại bán dẫn là bán dẫn loại N và bán dẫn loại P, sau đó ghép các miếng bán dẫn loại N và P lại ta thu được Diode hay Transistor.

   Si và Ge đều có hoá trị 4, tức là lớp ngoài cùng có 4 điện tử, ở thể tinh khiết các nguyên tử Si (Ge) liên kết với nhau theo liên kết cộng hoá trị  như hình dưới.

image005

Chất bán dẫn tinh khiết .

    1.2 –  Chất bán dẫn loại N
   * Khi ta pha một lượng nhỏ chất có hoá trị 5 như Phospho (P) vào chất bán dẫn Si thì một nguyên tử P liên kết với 4 nguyên tử Si theo liên kết cộng hoá trị, nguyên tử Phospho chỉ có 4 điện tử tham gia liên kết và còn dư một điện tử và trở thành điện tử tự do => Chất bán dẫn lúc này trở thành thừa điện tử ( mang điện âm) và được gọi là bán dẫn N ( Negative : âm ).

image006
image007

Chất bán dẫn N

     1.3 –  Chất bán dẫn loại P
   Ngược lại khi ta pha thêm một lượng nhỏ chất có hoá trị 3 như Indium (In) vào chất bán dẫn Si  thì 1  nguyên tử Indium sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si theo liên kết cộng hoá trị và liên kết bị thiếu một điện tử  => trở thành lỗ trống ( mang điện dương)  và được gọi là chất bán dẫn P.

image008
image009

Chất bán dẫn P

 2 – Diode (Đi ốt) Bán dẫn

     2.1 – Tiếp giáp P – N và Cấu tạo của Diode bán dẫn.
     
 Khi đã có được hai chất bán dẫn là P và N , nếu ghép hai chất bán dẫn theo một tiếp giáp P – N ta được một Diode, tiếp giáp P -N  có đặc điểm : Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuyếch tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào các lỗ trống => tạo thành một lớp Ion trung hoà về điện =>  lớp Ion này tạo thành miền cách điện giữa hai chất bán dẫn.

image010

Mối tiếp xúc P – N  => Cấu tạo của Diode .

     * Ở hình trên là mối tiếp xúc P – N và cũng chính là cấu tạo của Diode bán dẫn.

image011
image012

Ký hiệu và hình dáng

của Diode bán dẫn.

    2.2 –  Phân cực thuận cho Diode.
       
Khi ta cấp điện áp dương (+) vào Anôt ( vùng bán dẫn P ) và điện áp âm (-) vào Katôt ( vùng bán dẫn N ) , khi đó dưới tác dụng tương tác của điện áp, miền cách điện thu hẹp lại, khi điện áp chênh lệch giữ hai cực đạt 0,6V ( với Diode loại Si ) hoặc 0,2V ( với Diode loại Ge ) thì diện tích miền cách điện giảm bằng không => Diode bắt đầu dẫn điện. Nếu tiếp tục tăng điện áp nguồn thì dòng qua Diode tăng nhanh nhưng chênh lệch điện áp giữa hai cực của Diode không tăng (vẫn giữ ở mức 0,6V )

image013

Diode (Si)  phân cực thuận – Khi Dode dẫn
điện áp thuận đựơc gim ở mức 0,6V

image014

Đường đặc tuyến của điện áp thuận qua Diode

   * Kết luận : Khi Diode (loại Si) được phân cực thuận, nếu điện áp phân cực thuận < 0,6V thì chưa có dòng đi qua Diode, Nếu áp phân cực thuận đạt = 0,6V thì có dòng đi qua Diode sau đó dòng điện qua Diode tăng nhanh nhưng sụt áp thuận vẫn giữ ở giá trị 0,6V .

    2.3 – Phân cực ngược cho Diode.
   Khi phân cực ngược cho Diode tức là cấp nguồn (+)  vào Katôt (bán dẫn N), nguồn (-) vào Anôt (bán dẫn P), dưới sự tương tác của điện áp ngược,  miền cách điện càng rộng ra và ngăn cản dòng điện đi qua mối tiếp giáp,  Diode có thể chiu được điện áp ngược rất lớn khoảng 1000V thì diode mới bị đánh thủng.

image015

Diode chỉ bị cháy khi áp phân cực ngựơc tăng > = 1000V

    2.4 – Phương pháp đo kiểm tra Diode

image016

Đo kiểm tra Diode

  • Đặt đồng hồ ở thang x 1Ω , đặt hai que đo vào hai đầu Diode, nếu :
  • Đo chiều thuận que đen  vào Anôt, que đỏ vào Katôt => kim lên, đảo chiều đo kim không lên là => Diode tốt
  • Nếu đo cả hai chiều kim lên = 0Ω  => là Diode bị chập.
  • Nếu đo thuận chiều mà kim không lên => là Diode bị đứt.
  • Ở phép đo trên thì Diode  D1 tốt , Diode D2 bị chập và D3 bị đứt
  • Nếu để thang 1KΩ mà đo ngược vào Diode kim vẫn lên một chút là Diode bị dò.

    2.5 – Ứng dụng của Diode bán dẫn .

  * Do tính chất dẫn điện một chiều nên Diode thường được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu nguồn xoay chiều thành một chiều, các mạch tách sóng, mạch gim áp phân cực cho transistor hoạt động . trong mạch chỉnh lưu Diode có thể được tích hợp thành Diode cầu có dạng .

image017

Diode cầu trong mạch chỉnh lưu điện xoay chiều .
 

 3 – Các loại Diode

     3.1 –  Diode Zener
  * Cấu tạo : Diode Zener có cấu tạo tương tự Diode thường nhưng có hai lớp bán dẫn P – N ghép với nhau, Diode Zener được ứng dụng trong chế độ phân cực ngược, khi phân cực thuận Diode zener như diode thường nhưng khi phân cực ngược Diode zener sẽ gim lại một mức điện áp cố định bằng giá trị ghi trên diode.

image018

Hình dáng Diode Zener  ( Dz  )

image019

Ký hiệu và ứng dụng của Diode zener trong mạch.

  • Sơ đồ trên minh hoạ ứng dụng của Dz, nguồn U1 là nguồn có điện áp thay đổi, Dz là diode ổn áp, R1 là trở hạn dòng.
  • Ta thấy rằng khi nguồn U1 > Dz thì áp trên Dz luôn luôn cố định cho dù nguồn U1 thay đổi.
  • Khi nguồn U1 thay đổi thì dòng ngược qua Dz thay đổi, dòng ngược qua Dz có giá trị giới hạn khoảng 30mA.
  • Thông thường người ta sử dụng nguồn U1 > 1,5 => 2 lần Dz và lắp trở hạn dòng R1 sao cho dòng ngược lớn nhất qua Dz  < 30mA.
image020

Nếu U1 < Dz thì khi U1 thay đổi áp trên Dz cũng thay đổi
  Nếu  U1 > Dz thì khi U1 thay đổi => áp trên Dz không đổi.

    3.2 –  Diode Thu quang. ( Photo Diode )
     
Diode thu quang hoạt động ở chế độ phân cực nghịch, vỏ diode có một miếng thuỷ tinh để ánh sáng chiếu vào mối P – N , dòng điện ngược qua diode tỷ lệ thuận với cường độ ánh sáng chiếu vào diode.

image021

Ký hiệu của Photo Diode

image022

Minh hoạ sự hoạt động của Photo Diode

    3.3 –  Diode Phát quang ( Light Emiting Diode : LED )
     
Diode phát phang là Diode phát ra ánh sáng khi được phân cực thuận, điện áp làm việc của LED khoảng 1,7 => 2,2V dòng qua Led khoảng từ 5mA đến 20mA

    Led được sử dụng để làm đèn báo nguồn, đèn nháy trang trí, báo trạng thái có điện . vv…

image023
image024

Diode phát quang  LED

     3.4 – Diode Varicap ( Diode biến dung )
     
Diode biến dung là Diode có điện dung như tụ điện, và điện dung biến đổi khi ta thay đổi điện áp ngược đặt vào Diode.

image025

Ứn dụng của Diode biến dung Varicap ( VD )
 trong mạch cộng hưởng

  • Ở hình trên  khi ta chỉnh triết áp VR, điện áp ngược đặt vào Diode Varicap thay đổi , điện dung của diode thay đổi => làm thay đổi tần số công hưởng của mạch.
  • Diode biến dung được sử dụng trong các bộ kênh Ti vi mầu, trong các mạch điều chỉnh tần số cộng hưởng bằng điện áp.

     3.5 –  Diode xung
     
Trong các bộ nguồn xung thì ở đầu ra của biến áp xung , ta phải dùng Diode xung để chỉnh lưu. diode xung là diode làm việc ở tần số cao khoảng vài chục KHz , diode nắn điện thông thường không thể thay thế vào vị trí diode xung được, nhưng ngựơc lại diode xung có thể thay thế cho vị trí diode thường, diode xung có giá thành cao hơn diode thường nhiều lần.
   Về đặc điểm , hình dáng thì Diode xung không có gì khác biệt với Diode thường,  tuy nhiên Diode xung thường có vòng dánh dấu đứt nét hoặc đánh dấu bằng hai vòng

image026

Ký hiệu của Diode xung

    3.6  – Diode tách sóng.
   Là loại Diode nhỏ vở bằng thuỷ tinh và còn gọi là diode tiếp điểm vì mặt tiếp xúc giữa hai chất bán dẫn P – N tại một điểm để tránh điện dung ký sinh, diode tách sóng thường dùng trong các mạch cao tần dùng để tách sóng tín hiệu.

    3.7 – Diode nắn điện.
   Là Diode tiếp mặt dùng để nắn điện trong các bộ chỉnh lưu nguồn AC 50Hz , Diode này thường có 3 loại là 1A, 2A và 5A.

Cách thay socket hdd

Có khi nào đó các bạn giùm máy tính lâu ngày,...

PHỤC HỒI DỮ LIỆU

HÃY CỨU DỮ LIỆU QUAN TRỌNG CỦA BẠN TẠI NƠI ĐƯỢC...

TUYỂN SINH: LỚP SỬA LAPTOP – LỚP SỬA MÁY TÍNH

NỘI DUNG CHƯƠNG TRÌNH KHOÁ HỌC. Công ty TNHH NHO HÒA hình thành...

GIÁO TRÌNH HỌC NGHỀ

/ TÀI LIỆU ĐIỆN TỬ CĂN BẢN TÀI LIỆU SỬA LCD...

Dell Latitude E3440 – Intel Core i5-4200U/8G/SSD 128GB/14 inch
Main Macbook A1706 EMC 3163
ASUS VC65R _ máy tính bàn nhỏ gọn cấu hình cao
Amply Pioneer 7800II sự lựa chọn số 1 cho nhạc vàng
Laptop bị vô nước, cách khắc phục nhanh hiệu quả nhất

Laptop bị vô nước, cách khắc phục nhanh hiệu quả nhất...

Những nguyên nhân máy tính bị đơ hoặc sập nguồn

Có thể nói, máy tính là vật không thể thiếu trong...

Cách thay socket hdd

Có khi nào đó các bạn giùm máy tính lâu ngày,...

vệ sinh main hdd

công dụng cục gom ( tẩy ) trong việc làm vệ...

Mua máy tính cũ TPHCM ở địa chỉ nào uy tín?
Cách mua máy tính cũ tốt và tiết kiệm
Ai nên mua máy tính cũ, mua loại nào?
Chuyên bán máy tính cũ TPHCM các loại, uy tín